연구실 | 미래소자 및 회로 연구실

링크가 복사되었습니다!

교수님 소개

백록현

POSTECH

Principle Investigator, PI

Citations-

H-index-

연구실 인원수22명

이메일이 복사되었습니다

연구실 소개

The goal of TEAM is to maximize feasibility by quantitatively evaluating massive data through 3D integration (3DIC) and AI-based approaches for future devices (Spintronic, STT, SOT) including # Logic (Fin/GAA/Forksheet/Vertical/CFET) and # Memory (Flash/DRAM) devices. 차세대 로직/메모리 반도체 소자 및 3차원 집적공정, AI 기반 DTCO

연구실 키워드

하이 임팩트 태그

하이 임팩트 태그 정보가 없습니다.

연구 키워드

연구 키워드 정보가 없습니다.

알럼나이가 간 회사

연구실 지원 방법

대학원 지원 일정·절차는 소속 대학·대학원 및 학과(전공)마다 다릅니다. 해당 학교의 대학원 모집 공지와 지원 안내를 먼저 확인해 주세요. 연구실별로 필요 서류, 면접·과제 제출, 합격 후 입학 절차 등은 교수님 또는 연구실 안내에 따릅니다.

대우 조건

연구실 대우 조건은 교수님의 과제 상황 및 석사·박사 학위 과정(재학·진학 여부 등)에 따라 상이합니다. 구체적인 지원 혜택과 연구 참여 형태는 면접 및 협의 과정에서 결정됩니다.

*가방끈 AI가 정리한 연구성과로 최신 연구실 정보로 업데이트를 원하시는 분들은 [수정 요청] 아이콘을 클릭해주세요

연도별 논문 인용수

인용 수

누적 수

연도별 논문 인용수에 대한 데이터가 없습니다

저널 & 학회 논문 출판 수

인용 50회 미만

인용 50회 이상

저널 & 학회 논문 출판 수에 대한 데이터가 없습니다

연구실 논문 목록

J. Lee, S. Lee, Y. Ahn, M. Kim, G. Cho, S. Yeou, S.K. Lim, and R.-H. Baek*, "Power, Performance, and Area Analysis of Ultra-stacked Forksheet-FET for Angstrom Nodes," accepted in IEEE Trans. on Electron Devices.

year에 대한 데이터가 없습니다 venue에 대한 데이터가 없습니다

citation_count에 대한 데이터가 없습니다

R.-H. Baek

S. Lee, J. Jeong, J. Park, S. Lee, J. Lee, Y. Ahn, M. Kim, and R.-H. Baek*, "Patterned Multi-Wall Nanosheet FETs for Sustainable Scaling: Zero Gate Extenstion With Minimal Gate Cut Width," IEEE Access, vol. 13, 99355-99365, Jun. 2025.

year에 대한 데이터가 없습니다 venue에 대한 데이터가 없습니다

citation_count에 대한 데이터가 없습니다

R.-H. Baek

J. An, B. Ham, G. Hong, J. Park, B. Kang, J. Pyo, S.-M. Ahn, and R.-H. Baek*, "Effect of post-metallization anneal on monolithic co-integration of Hf0.5Zr0.5O2-based FeFET and CMOS," accepted in Scientific reports.

year에 대한 데이터가 없습니다 venue에 대한 데이터가 없습니다

citation_count에 대한 데이터가 없습니다

R.-H. Baek

연구실 보유 특허

출원 목록에 대한 데이터가 없습니다

회사명: 주식회사 아웃스탠더스

주소: 서울시 노원구 광운로 15길 51, 3

대표: 李智優

사업자등록번호: 129-88-02423

직업정보제공사업신고번호: J1205020250003

미래소자 및 회로 연구실

교수님 소개

백록현

연구실 소개

연구실 키워드

알럼나이가 간 회사

연구실 지원 방법

대우 조건

연도별 논문 인용수

저널 & 학회 논문 출판 수

연구실 논문 목록

J. Lee, S. Lee, Y. Ahn, M. Kim, G. Cho, S. Yeou, S.K. Lim, and R.-H. Baek*, "Power, Performance, and Area Analysis of Ultra-stacked Forksheet-FET for Angstrom Nodes," accepted in IEEE Trans. on Electron Devices.

S. Lee, J. Jeong, J. Park, S. Lee, J. Lee, Y. Ahn, M. Kim, and R.-H. Baek*, "Patterned Multi-Wall Nanosheet FETs for Sustainable Scaling: Zero Gate Extenstion With Minimal Gate Cut Width," IEEE Access, vol. 13, 99355-99365, Jun. 2025.

J. An, B. Ham, G. Hong, J. Park, B. Kang, J. Pyo, S.-M. Ahn, and R.-H. Baek*, "Effect of post-metallization anneal on monolithic co-integration of Hf0.5Zr0.5O2-based FeFET and CMOS," accepted in Scientific reports.

연구실 보유 특허

대학별 입시끈

우리 연구실 모집

교수님 소개

백록현

연구실 키워드

알럼나이가 간 회사

연구실 지원 방법

대우 조건

연도별 논문 인용수

저널 & 학회 논문 출판 수

연구실 논문 목록

J. Lee, S. Lee, Y. Ahn, M. Kim, G. Cho, S. Yeou, S.K. Lim, and R.-H. Baek*, "Power, Performance, and Area Analysis of Ultra-stacked Forksheet-FET for Angstrom Nodes," accepted in IEEE Trans. on Electron Devices.

S. Lee, J. Jeong, J. Park, S. Lee, J. Lee, Y. Ahn, M. Kim, and R.-H. Baek*, "Patterned Multi-Wall Nanosheet FETs for Sustainable Scaling: Zero Gate Extenstion With Minimal Gate Cut Width," IEEE Access, vol. 13, 99355-99365, Jun. 2025.

J. An, B. Ham, G. Hong, J. Park, B. Kang, J. Pyo, S.-M. Ahn, and R.-H. Baek*, "Effect of post-metallization anneal on monolithic co-integration of Hf0.5Zr0.5O2-based FeFET and CMOS," accepted in Scientific reports.

연구실 보유 특허

최근 3년간 연구실적 높은 연구실

대학별 입시끈

우리 연구실 모집