연구실 | Intelligent Semiconductor and Wearable Devices

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정윤영

POSTECH 학과

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Innovative Technologies and Emerging Memory Architectures for Next-Generation Intelligent AI Semiconductor Hardware. Smart Devices Solution for Wearable Healthcare and Environment.

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연구실 논문 목록

Quantitative Analysis and Mitigation Strategy for Hot Carrier Degradation in a-IGZO Transistor

2026 Advanced Electronic Materials

Citation0

Changeon Jin, Sunwoong Ham, Taewon Seo, Daehwan Kang, Yoonyoung Chung

Recent Progress and Opportunities in Oxide Semiconductor Devices for In-Memory and Neuromorphic Computing

2026 Advanced Electronic Materials

Citation0

Suwon Seong, Taejun Ha, Sangwook Jung, Wontae Jeong, Yoonyoung Chung

Enhanced Contact Property and Thermal Stability by Suppressing Oxygen Diffusion through Subnm Ultrathin Barrier for IGZO Devices Beyond Scaling Limits

2026 ACS Applied Materials & Interfaces

Citation0

Juyoung Yun, Hyuk Park, Seung-Mo Kim, Dae-Hwan Kang, Byoung Hun Lee, Yoonyoung Chung

연구실 보유 특허

특허명Display Device and Electronic Device Including the Same

출원번호10-2026-0066926 (2026-04-14)

공개번호데이터가 존재하지 않습니다

특허명Capacitorless 2-Terminal 2-Transistor DRAM Cell and Operation Method Thereof

출원번호10-2026-0002353 (2026-01-06)

공개번호데이터가 존재하지 않습니다

특허명Memory Device and Operating Method Thereof

출원번호10-2025-0114240 (2025-08-18)

공개번호데이터가 존재하지 않습니다

회사명: 주식회사 아웃스탠더스

주소: 서울시 노원구 광운로 15길 51, 3

대표: 李智優

사업자등록번호: 129-88-02423

직업정보제공사업신고번호: J1205020250003

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Quantitative Analysis and Mitigation Strategy for Hot Carrier Degradation in a-IGZO Transistor

Recent Progress and Opportunities in Oxide Semiconductor Devices for In-Memory and Neuromorphic Computing

Enhanced Contact Property and Thermal Stability by Suppressing Oxygen Diffusion through Subnm Ultrathin Barrier for IGZO Devices Beyond Scaling Limits

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