연구실 | NDL Nano Device Lab

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교수님 소개

임상우

연세대학교 공과대학

Professor

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연구실 인원수8명

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연구실 소개

The lab focuses on Semiconductor, Surface, Thin film, Nano-device.

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Chem. Eng. J.

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알럼나이가 간 회사

연구실 지원 방법

대학원 지원 일정·절차는 소속 대학·대학원 및 학과(전공)마다 다릅니다. 해당 학교의 대학원 모집 공지와 지원 안내를 먼저 확인해 주세요. 연구실별로 필요 서류, 면접·과제 제출, 합격 후 입학 절차 등은 교수님 또는 연구실 안내에 따릅니다.

대우 조건

연구실 대우 조건은 교수님의 과제 상황 및 석사·박사 학위 과정(재학·진학 여부 등)에 따라 상이합니다. 구체적인 지원 혜택과 연구 참여 형태는 면접 및 협의 과정에서 결정됩니다.

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연구실 논문 목록

Control of selective SiGe etching by enhanced formation of hydroxyl radicals and by surface passivation in peracetic acid solution

2024 Appl. Surf. Sci.

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Seunghyo Lee, Kiwon Song, Sangwoo Lim

Understanding the contributions of F–, HF, and HF2– to the etching of SiO 2 and unveiling the reaction kinetics to represent etching behavior of SiO 2 up to pH 5

2024 Appl. Surf. Sci.

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Bumsik Kim, Wonje Lee, Sangwoo Lim

Control of selective SiGe etching by enhanced formation of hydroxyl radicals and by surface passivation in peracetic acid solution

2024 Appl. Surf. Sci.

Citation0

Seunghyo Lee, Kiwon Song

연구실 보유 특허

특허명실리콘 질화막 식각 조성물 및 이를 이용한 식각방법

출원번호10-2389567

공개번호데이터가 존재하지 않습니다

특허명실리콘 질화막 식각 조성물 및 이를 이용한 식각방법

출원번호10-2325905

공개번호데이터가 존재하지 않습니다

특허명비인산계 실리콘 질화막 식각 조성물 및 이를 이용한 식각방법

출원번호10-2315919

공개번호데이터가 존재하지 않습니다

회사명: 주식회사 아웃스탠더스

주소: 서울시 노원구 광운로 15길 51, 3

대표: 李智優

사업자등록번호: 129-88-02423

직업정보제공사업신고번호: J1205020250003

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Control of selective SiGe etching by enhanced formation of hydroxyl radicals and by surface passivation in peracetic acid solution

Understanding the contributions of F–, HF, and HF2– to the etching of SiO 2 and unveiling the reaction kinetics to represent etching behavior of SiO 2 up to pH 5

Control of selective SiGe etching by enhanced formation of hydroxyl radicals and by surface passivation in peracetic acid solution

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Control of selective SiGe etching by enhanced formation of hydroxyl radicals and by surface passivation in peracetic acid solution

Understanding the contributions of F–, HF, and HF2– to the etching of SiO 2 and unveiling the reaction kinetics to represent etching behavior of SiO 2 up to pH 5

Control of selective SiGe etching by enhanced formation of hydroxyl radicals and by surface passivation in peracetic acid solution

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