강대환
POSTECH
Professor
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연구실 소개
develops novel memory devices and ovonic threshold switch devices using chalcogenide and oxide semiconductor materials, and conducts research on applying them into storage-class-memory (SCM) and neuromorphic applications 칼코지나이드 및 산화물 반도체 재료를 활용한 신개념 메모리 소자 및 뉴로모픽 시냅스 소자를 개발하여, 이를 고용량 비휘발성 메모리 및 인공지능 반도체에 응용하는 연구 수행 ○Emerging semiconductor device and process architecture ○Development of 2T-0C DRAM device ○Neuromorphic device application using Atomic Layer Deposited OTS materials
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알럼나이가 간 회사
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연구실 논문 목록
Taewon Seo, Junyoung Yun, Seung-Mo Kim, Changeon Jin, Seongmin Park, Suwon Seong, Dae Hwan Kang, Byoung Hun Lee, and Yoonyoung Chung "Hydrogen Plasma Treatment for Improving Reliability of In‐Ga‐Zn‐O Transistors Without Side Effects Through Post‐Annealing Process." Advanced Electronic Materials 11.9 (2025): 2400893.
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Kyeong-Keun Choi, Seongjeen Kim, Sung-kyu Kim, Senongjun Kim, Young Jae Park, Dae-Hwan Kang "Post-implantation annealing effects of Al-implanted p-type junction on specific contact resistance and temperature coefficient of resistance in 4H-SiC metal‐oxide‐semiconductor field effect transistors." Materials Science in Semiconductor Processing 198 (2025): 109790.
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Kyeong-Keun Choi, Sung-Kyu Kim, Seongjun Kim, Young Jae Park, Woong-Suk Yang, Sung-Woong Han, Dae-Hwan Kang "Impact of ALD Al2O3 Dielectrics on the Device Performance of SiC-Based Field-Effect Transistors (FETs): A Study of Atomic Diffusion." ECS Journal of Solid State Science and Technology 14.2 (2025): 023012.
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